"ioonpommitus" - 1 õppematerjal

Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt

Erandlikuks võrevahel suure lahustuvusega aatomiks võiks olla vaid vesinik (r H = 0,46 Å), mille aatomraadius on väike. Võõrdefektid põhiaines mõjutavad tugevalt põhiaine omadusi, eriti elektrilisi ja optilisi omadusi. Antud asjaolu loob vajaduse lisandite kontsentratsiooni kontrollitavaks muutmiseks materjalides, mis on tänapäeva pooljuhttehnika aluseks. Lisandite sisseviimiseks materjali leiavad kasutamist lisandite termiline difusioon ja ioonpommitus (joon). 5.4. Joondefektid ­ dislokatsioonid (joonis 3.43) Dislokatsioonid on joon- ehk ühemõõtmelised defektid, mille ümber osa aatomeid on paigutunud mitteregulaarselt. Dislokatsioonid võivad moodustuda aine kristalliseerumisel, aine plastilisel deformatsioonil, vakantside väljasadestumisel ja tahke lahuse moodustumisel aatommõõtude mittevastavuse tulemusena. On olemas 2 põhitüüpi dislokatsioone: joon- ja vintdislokatsioonid