dünaamiline viskoossus ja r on iooni raadius. Kui laengukandjate kontsentratsioon ei sõltu temperatuurist (dissotsatsiooniaste ei muutu). Vool läbi vedeldielektriku sõltub pingest lineaarselt ainult teatud piirini Ekr 3.7.4. Tahkedielektrikute elektrijuhtivus Tahkedielektrikute elektrijuhtivus on tingitud dielektriku enese struktuurist vabanenud ioonidest ja lisandite ioonidest. Harva võivad juhtivust tekitada ka vabad elektronid. Ioonjuhtivust tõendab uue aine ilmumine elektroodidele. Ioonse ehitusega dielektrikutes vabanevad ioonid aine struktuurist peamiselt soojusvõnkumiste tagajärjel. Madalamatel temperatuuridel vabanevad nõrgemalt seotud ioonid, nt lisandite ioonid. Atomaarsetes ja molekulaarsetes dielektrikutes osalevad elektrijuhtivuses ainult lisandite ioonid. Määravaks on laengukandjate aktivatsioonienergia. Madalamatel temperatuuridel ületab lisandite juhtivus tunduvalt omajuhtivust. 3.8 DIELEKTRIKUSKAOD 3.8.1
Võib saada püsiva lahuse asenduslisanditega, kui lisandi ja solvendi aatomite suurused ei erine rohkem kui 15%, lisandi ja solvendi kristallistruktuurid langevad kokku, kui on sarnane elektronegatiivsus ning sarnane valentsus. Nt 38,4% Zn lahustub Cu-s; 2.3% Cu lahustub Zn-s. Või sõlmpunktidevahelise tahke lahuse saamine, kus lisandi ja solvendi aatomite suurused peavad oluliselt erinema, kuna väikesed aatomid difundeeruvad kiiresti. Punktdefektide mõju kristalli omadustele. Mõjutab ioonjuhtivust, kus tahkes elektrolüüdis liiguvad ainult üht tüüpi ioonid. Liikuda võivad vakantsid ja (oma või lisandi) sõlmpunktidevahelised ioonid. Näiteks ZrO2 dopeerimisel CaO-ga (kuni 10-15%) ilmneb anioonide puudus (vakantsid), elektrolüüt töötab hapniku juuresolekul temperatuuril 700-1000 oC ning Li-ioon akus on spinell struktuuriga katoodid ja elektrolüüt, kus liiguvad Li+ ioonid. Lisandi sisseviimisel kristallivõre moondub