Lasereid jagatakse tööreziimi, ergasti ja kiirguri järgi. · alalislaserid · välklaserid (impulsslaser) o neodüümlaser · tahkislaser- kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga, kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendatakse neid hiidvälkereziimis. o rubiinlaser o kristall-laser · gaaslaser- ergastamiseks rakendatakse neis harilikult töögaasis toimuvat elektrilahendust, harvemini ergastatakse neid keemiliselt, valgus- või korpuskulaarkiiritusega
spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaserid Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1- 1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendatakse neid hiidvälkereziimis (seni suurim välkevõimsus 1014 W on USA tahkislaseril NOVA). Tahkislaserite eriliik on pooljuhtlaserid, milles luuakse pöördhõive pooljuhikristalli juhtivus- ja valentsitsooni vahel ning kiirgus tekib elektronide ja aukude stimuleeritud rekombineerumisel. Dioodlaserid
See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel ning astme piires sujuvalt resonaatori spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1- 1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendatakse neid hiidvälkereziimis (seni suurim välkevõimsus 1014 W on USA tahkislaseril NOVA). Tahkislaserite eriliik on pooljuhtlaserid, milles luuakse pöördhõive pooljuhikristalli juhtivus- ja valentsitsooni vahel ning kiirgus tekib elektronide ja aukude stimuleeritud rekombineerumisel.
480 (samadel tingimustel). Optiline tihedus on 0,700. Milline on aine kontsentratsioon? c = 0,700/480 = 0,001458% c = D/xb 3. Aine kontsentratsioon 0,001%, lainepikkusel 360 nm on optiline tihedus 0,480. Mis on selle aine erineeldumisnäitaja? 0,001% 0,480 1% x A1% = 480/0,001= 480 Lora Sulg, Proviisor II, sügis 2010 1.4 SPEKTROFOTOMEETRIA INFRAPUNAALAS. (IR) Põhineb infrapunakiirguse neeldumisel aines, kutsudes esile aatomivaheliste sidemete paindeid ja vibratsioone. Kiirguse neeldumisel sidemed painduvad, nurgad sidemete vahel võivad muutuda. Eripäraks on suurem infohulk ja see meetod annab infot molekuli struktuuri kohta. Infrapunaspekter ei sõltu mitte ainult molekuli keemilisest struktuurist vaid ka aine kristallmodifikatsioonist see võimaldab eristada ühe ja sama aine mitut polümorfset struktuuri. IR-laineala on 800nm-1000 µm
See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel ning astme piires sujuvalt resonaatori spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1-1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendatakse neid hiidvälkereziimis (seni suurim välkevõimsus 10 14 W on USA tahkislaseril NOVA). Tahkislaserite eriliik on pooljuhtlaserid, milles luuakse pöördhõive pooljuhikristalli juhtivus- ja valentsitsooni vahel ning kiirgus tekib elektronide ja aukude stimuleeritud rekombineerumisel.
annaabi.ee 
