"h2ie" - 1 õppematerjal

Elektroonika aluste õppematerjal

sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi korral CE lülituses. Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab transiitsagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... l fT on määratav valemiga: h2IE = fT/f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest