9 Tabel 6.1. ÜE-lülituse ligikaudsed arvutusvalemid ja orienteerivad väärtused [3] Pingevõimendustegur Ku = Uvälj / Usis = h21eRC / h11e kuni 104 Vooluvõimendustegur Ki = Ivälj / Isis = h21e kuni 100 Sisendtakistus Rsis = Usis / Isis = h11e 500...2500 W Väljundtakistus Rvälj = Uvälj / Ivälj = 1 / h22e 20...100 kW Väljundpinge 180° faasinurk sisendpinge suhtes 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija Emitterjärgijat (emitterjärgurit) e. ühise kollektoriga (ÜK-) lülitust iseloomustavad väike väljundtakistus ja suur sisendtakistus, suur vooluvõimendustegur ja väike pingevõimendustegur (pisut väiksem kui 1) ning hea temperatuuristabiilsus. Teda
on toodud joonisel 6.27. JOONIS 6.26. JOONIS 6.27. Nagu selgus parameetrite tunnusjoontelt määramise näitest, sõltuvad parameetrite väärtused kohast, kus neid tunnussarjal määratakse, s.o. tööpunktist. Praktiliselt enim mõjutab parameetrite väärtusi emitterivool. h-parameetrite sõltuvus emitterivoolust on toodud joonisel 6.28. JOONIS 6.28. Nagu graafikutelt näha, muutuvad emittervoolu muutumisel enim H22e ja h11e. Parameetrite sõltuvus kollektorpingest on vähemoluline ja sellega tuleb arvestada ainult väikestel kollektorpingetel, kus see sõtuvus järsult suureneb. 6.10. Transistoride levinumaid eriliike Phototransis tor 6.10.1. Fototransistor Fototransistor on bipolaarse transistori struktuuriga fotoelektriline seadis, mille väljundvool on tüüritav valgusvooga (on ka valgusvooga tüüritavaid väljatransistore).
annaabi.ee 
