Bipolaartransistori uurimine
3. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad:
IC = f (UCB)
IC = f (IE)
Katseandmed märkisime tabelisse 7.1. Joonestasime sõltuvuste graafikud (joonis 7.3 ja
7.4)
Joonis 7.3 Tunnusjooned IC = f (UCB)
Joonis 7.4 Tunnusjooned IC = f (IE)
4. Transistori tunnusjoonte alusel määrasime nõrga signaali parameetrid:
sisendtakistus h11b
pingetagasisidetegur h12b
ΔU BE 0,72−0,65 0,07 V
h11b = = = =0,875
ΔI E 0,1−0,02 0,08 A
ΔU BE 0,72−0,65 0,07
h12 b= = = =0,006 V
ΔU CE 12−1 11
6. Koostasime lülituse ÜE-ühenduses transistori uurimiseks (joonis 7.2).
VT
–
+
Joonis 7.2 Transistori lülitussskeem ÜE-ühenduses
7. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad:
annaabi.ee 
