· kasutab Bayeri-mustrit R-G-B ja toimub interpoleerimine b) CMOS-sensor: "complementary metal-oxide semiconductor" uuem sensoritüüp, levinud enamikes digikaamerates kuna iga piksli kõrval on transistor, mis kiirendab info kogumist, on kiirem kui CCD, kuid samas vähem valgustundlik, sest valgus langeb lisaks fotodioodidele ka transistorile, mis ei ole valgustundlik kuna saab toota igasugusest silikoonist, on odavam kasutab Bayeri-mustrit R-G-B ja toimub interpoleerimine c) FOVEON-sensor: o sensoritüüp, mis EI kasuta Bayeri mustrit ning selles ei toimu interpoleerimist, sest ta salvestab R,G,B värviinfo eraldi igasse
4. Joonis 4.4. Fotodioodi pinge-voolu tunnusjooned [2]. Elektroonika alused. Teema 4 Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed 6 (43) Fotovoolu võimendamiseks tuleb tema väljundisse ühendada võimendi, milleks reeglina kasutatakse operatsioonivõimendit. Sageli on vajalik võimendi selline lülitus, et ta toimiks voolu-pinge muundurina. Lisaks tavalistele pn-siirdega fotodioodidele toodetakse pin-struktuuriga dioode, kus p- ja n-kihi vahel on õhuke väikese omajuhtivusega i-kiht. Sellised fotodioodid on märksa kõrgsageduslikumad, tajudes valguse muutust mõne nanosekundi jooksul. Kiiretoimelised on ka Schottky barjääriga fotodioodid. Väga nõrga valgussignaali korral kasutatakse laviinfotodioode. Nende npip-struktuuris on i-kiht täielikult vaesunud (vastupinge piisavalt tugev) ning seal toimib tugev elektriväli, mis
annaabi.ee 
