Eri liigi moodustavad aga raadiosageduse transistorid ehk RF transistorid {radio frequency). Sinna kuuluvad transistorid töösagedustega 2 MHz ... 4 GHz, lubatava kollektori hajuvõimsusega kuni 150 W. Nende transistoride konstruktsioonis on arvestatud suhteliselt kindlate raadiotehniliste rakendustega. Kasutatakse ka tehnoloogilist transistoride liigitust, kus transistore liigitatakse valmistamistehnoloogia alusel, nagu sulandtransistorid, planaartransistorid, epitaksiaal- transistorid jne. Transistoride omadustel ja tehnoloogial on küll olemas seos, kui tarbimise seisukohalt on see vähese tähtsus 61 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar-transistorist
Eri liigi moodustavad aga raadiosageduse transistorid ehk RF transistorid {radio frequency). Sinna kuuluvad transistorid töösagedustega 2 MHz ... 4 GHz, lubatava kollektori hajuvõimsusega kuni 150 W. Nende transistoride konstruktsioonis on arvestatud suhteliselt kindlate raadiotehniliste rakendustega. Kasutatakse ka tehnoloogilist transistoride liigitust, kus transistore liigitatakse valmistamistehnoloogia alusel, nagu sulandtransistorid, planaartransistorid, epitaksiaal-transistorid jne. Transistoride omadustel ja tehnoloogial on küll olemas seos, kui tarbimise seisukohalt on see vähese tähtsus 43 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid