Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid Lähteandmed: E=9 V Uk0=6V Ik0=1 mA f0=1 MHz UE0=1 V h21= 300 · Emitter takistus k · Koormustakistus Rk=3 k · Tegelik väärtus 3 k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k Tegelik väärtus 36 k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Tegelik väärtus 130k · Emittertakistiga sildav kondensaator F · Tegelik väärtus 22 nF · Sisendkondensaatori mahtuvus F · Tegelik väärtus 39k nF · Võnkeringi mahtuvus C2=10nF · =83 pF · · Tegelik väärtus 510 pF · Võimendustegur k=120 · · · ·
· Emitteri vaheline küllastuspinge UBE0=0,7 V · Võimendi töösagedus f=60 kHz · Emitteri pinge maa suhtes UE0= 1 V · Kollektorvool =1 mA · Koormustakistus Rk=510 · Signaali sisetakistus Rsig=120 · Emitter takistus k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Emittertakistiga sildav kondensaator F · Sisendkondensaatori mahtuvus F · Sidestuskondensaatori mahtuvus F · Võnkeringi mahtuvus C=33 nF · Võnkeringi induktiivsus L=250 µH Reaalselt kasutasime järgnevaid väärtusi · CB=10 nF · CK=10 nF · CE= 4,7 F · RB1= 150 k · RB2= 36 k · RE=1 k 2. Mudeli amplituud-sageduskarakteristik Joonis 2. Amplituud-sageduskarakteristik 3