Konstantse baasipinge korral on ka takistit RE läbiv transistori emitterivool IE püsiv, sest selle voolu muutumine mingil põhjusel muudab pingelangu emitteritakistil, mis konstantse baasipinge korral muudab omakorda baasi ja emitteri vahelist pinget just selles suunas, milline töötab emitterivoolu muutusele vastu - lülituses toimib vooluvastuside. Võimendusreziimis transistori kollektorivool on väga lähedane emitterivoolule, erinedes sellest baasivoolu võrra, mille osa emitterivoolust on protsendi suurusjärgus (h21E =100 korral on erinevus 1%). I C = h21E * I B Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 53 I E = I C + I B = h21E * I B + I B = (h21E + 1)I B , millest IE IB =
seks radiaatoreid. Samade nähtuste kaudu avaldub ka h-parameetrite temperatuuri-sõltuvus. Temperatuuri mõju erinevatele parameetritele on erinev ja see on toodud joonisel 6.27. JOONIS 6.26. JOONIS 6.27. Nagu selgus parameetrite tunnusjoontelt määramise näitest, sõltuvad parameetrite väärtused kohast, kus neid tunnussarjal määratakse, s.o. tööpunktist. Praktiliselt enim mõjutab parameetrite väärtusi emitterivool. h-parameetrite sõltuvus emitterivoolust on toodud joonisel 6.28. JOONIS 6.28. Nagu graafikutelt näha, muutuvad emittervoolu muutumisel enim H22e ja h11e. Parameetrite sõltuvus kollektorpingest on vähemoluline ja sellega tuleb arvestada ainult väikestel kollektorpingetel, kus see sõtuvus järsult suureneb. 6.10. Transistoride levinumaid eriliike Phototransis tor 6.10.1. Fototransistor
annaabi.ee 
