3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse. Igale konkreetsele baasivoolule vastab kindel võimendatud kollektorvool. Vooluvõimendus on ligikaudne konstant, mis sõltub temperatuurist, sagedusest ja Uk-st. JUGFET võimendi: Transistorid: Filtrid: RC madalpääsfilter RC kõrgpääsfilter RL kõrgpääsfilter LC filter LCR filter Zener diood Zener dioodi kasutatakse vastupingestatult
väljundvooluks. Kui mõlemad transistorid on identsed, siis Iconst = Ie. Kui nad ei ole identsed, siis sõltub väljundvool transistoride parameetritest (transistoride emittersiirete pindalade suhtest). Joonisel 6.30 a kujutatud voolupeeglis antakse tugivoolu I0 väärtus ette toiteallika E0 ja pingejaguri poolt, mis moodustub takistist RB ja VT1 päripingestatud emittersiirdest. Kui teise transistori VT2 emitteris takistus puudub, siis on tema kollektorvool IC võrdne vooluga I0. Emittertakisti RE lisamine võimaldab VT2 emitterisiirde päripinget ja seeläbi IC väärtust muuta (vähendada). Voolupeegli sisetakistus (klemmi 2 ja üldjuhtme vahel) on näiteks IC = 0,1 mA korral suurusjärgus 1 MW. Sisetakistust suurendab emitteritakisti R E. Joon. 6.30. Voolupeegel ühe (a) ja mitme (b) püsivoolu saamiseks [3]. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised
avasuunas siis läbib teda tugev pärivool, mida kõige väiksemgi pinge muutus mõjutab tugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. Nagu juba mainitud, töötab kollektorsiire vastupingeziimis, mistõttu ayatud emitteri korral läbib kollektorsiiret väga väike vastuvool. ELEKTROONIKAKOMPONENDlD lk. 34. JOONIS 6.2. Nagu juba eespool mainitud, on transistori valmistamisel silmas peetud seda, et emitteris oleks laengukandjaid rohkem kui baasis. Sellega on garanteeritud, et asetleidva laengukandjate reekombinatsiooni tõttu ei tekiks laengukandjate likvideerumist. Kui kollektorahel ei ole pingestatud, siis liiguvad kõik emitterist tulnud elektronid baasi elektroodile ja esineb tugev baasivool. Kui aga üheaegselt on pingestatud nii emitter-kui kollektorsiire, muutub voolude jagunemine transistoris tunduvalt. Oluline on see, et baas kujundatakse võimalikult kitsana
annaabi.ee 
