asendisse, kus ta viibib lülituse parameetritega määratud ajavahemiku võrra. Selle oleku vältel formeeritakse väljundimpuls. Seega väljundimpulside sagedus sõltub sisendimpulside sagedusest nende kestus ja amplituud aga lülituselementide valikust. ..... R1 ja R2 antakse VT1 baasile suhteliselt madal pinge nt: 0,5 kuni 1V Samal ajal on takistus RE valitud nii, et temal esineb pinge lang nii VT2 emiter ahela pingejaguri pingest suurem ja nii ongi VT1 baas emiterist negatiivsem, ning ta on suletud olekus. Sisendimpulsi saabumisel avatakse tema toimel VT1. Tema kollektorpinge langeb, ning sinna ühendatud kondensaator hakkab tühjenema. Kondensaatori tühjenemisvool kulgeb vasakpoolselt plaadilt läbi transistori, läbi RE, läbi pinge allika, läbi takistuse RB miinusplaadile. See vool läbides takistust RB tekitab pingelangu, mille miinus on suunatud VT2 baasile ja selle pingelangu toimel VT2 suletakse. Kuna
Ootamultivibrasi kasutatakse vajaliku impulsi kestuse ja amplituudiga impulsside formeerimiseks näiteks türistoride käivitamisel. Joonis 4.7.2 Algolukorras see on stabilises asendis on VT1 suletud ja VT2 avatud. Selline olukord saadakse takistite R1 ja R2 valikutega millised valitakse selliselt, et takistuselt R2 VT1 baasile antakse väike positiivne pinge +1V. VT2 emiteri vool läbides takistust Re tekitab seal mõnevõrra suurema pingelangu näiteks 1.1V. Tulemusena on VT1 baas emiterist 0,1V võrra negatiivsem ja sellest pingest piisab et viia VT1 sulge reziimi. Suletud transistori kollektor pinge võrdub toitepingega ja kondensaator C1 on laetud joonisel näidatud polaarsusega. Sisend impulsi saabumisel avatakse VT1 tema kollektori pinge väheneb ning kondensaator C1 hakkab tühjenema joonisel näidatud teet pidi. Tühjenemis ahelasse jääb ka toitepinge allikas mis püüab kondansaatorit ümber laadida. Tühjenemis vool läbides takistust Rb2 tekitab seal pinge langu mille
annaabi.ee 
