pinge, ning võimendi lakkab võimendamast. Samas on võimendi kasutamine vägagi ahvatlev, sest terve rida elemente jääb ära, ning vähenevad ka sagedus moonutused. Ereiti oluline on see mikroelektroonikas, sest senini ei osata valmistada intergraalselt suure mahtuvuslisi kondensaatoreid. Prakitilise realiseerimise võimaluseks on kasutada esimesest astmest kõrgemat tööpunkti, kuna seljuul väheneb kollektori ja emiteri vaheline pinge, ning võime vältida teise astme küllastumist. Kahjuks kaasneb ka kõrgema tööpunktiga ka kõrgem voolu tarve. Küllalt levinud on otsese sidestusdioodide kasutamine. Dioodide kastamine otseses sidestuses põhineb dioodi tunnusjoone kujul, millest tulenevalt on dioodi alalispingeline pingelang 0,7 kuni 1V, vahelduvpingeline aga mitte rohkem kui 0,1V
sagedustest väljund impulside kestus ja amplituud aga lülitus elemendite valikust. Ootamultivibrasi kasutatakse vajaliku impulsi kestuse ja amplituudiga impulsside formeerimiseks näiteks türistoride käivitamisel. Joonis 4.7.2 Algolukorras see on stabilises asendis on VT1 suletud ja VT2 avatud. Selline olukord saadakse takistite R1 ja R2 valikutega millised valitakse selliselt, et takistuselt R2 VT1 baasile antakse väike positiivne pinge +1V. VT2 emiteri vool läbides takistust Re tekitab seal mõnevõrra suurema pingelangu näiteks 1.1V. Tulemusena on VT1 baas emiterist 0,1V võrra negatiivsem ja sellest pingest piisab et viia VT1 sulge reziimi. Suletud transistori kollektor pinge võrdub toitepingega ja kondensaator C1 on laetud joonisel näidatud polaarsusega. Sisend impulsi saabumisel avatakse VT1 tema kollektori pinge väheneb ning kondensaator C1 hakkab tühjenema joonisel näidatud teet pidi
annaabi.ee 
