aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud ebaregulaarselt. Tekivad kristallide kasvamisel, -plastilisel deformeerimisel; -vakantside kogunemisel; -tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1)ääre dislok-lisapoolaatomkihi lõppemise äär.; 2) vintdisl- ülemine aatomtasapind on nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes aatomite vahlise vahemaa võrra. Dislokatsioonide uurimiseks kasutatakse optilist ja elektronmikroskoopiat. Enne optilise mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli pinnal nähtavaks söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kkuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat, siis toimub seal kritalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid. Süvendite kuju järgi saab määrata välispinna tasapinna tüüpi. Dislokatsioonid ei ole tasakaalulised defektid. 3. Difusiooni mehhanismid Aatomid on kritallis pidevas vibratsioonliikumises
- tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1) ääre(serv)dislokatsioon lisapoolaatomkihi lõppemise äär (serv) (joon 3-5); 2) vintdislokatsioon ülemine aatomtasapind on nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes aatomite vahelise vahemaa võrra (joon 3-7). Dislokatsioonide teke vakantside kogunemisel on esitatud joonisel 3-6. Tavaliselt on dislokatsioonid kombineeritud, st lähevad üksteiseks üle (joon 3-8). Dislokatsioonide uurimiseks kasutatakse optilist ja elektronmikroskoopiat. Enne optilise mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli pinnal nähtavaks söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat (vabad sidemed), siis toimub seal kristalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid (joon 3-9). Süvendite kuju järgi saab määrata välispinna tasapinna tüüpi. Dislokatsioonid ei ole tasakaalulised defektid. Põhimõtteliselt saab valmistada dislokatsioonivabu kristalle. 3
dislokatsioonil omab sama suunda kogu dislokatsiooni ulatuses. Servdislokatsioonil on Burgersi vektor b risti dislokatsioonijoonega, vintdislokatsioonil aga paralleelne dislokatsioonijoonega. Tiheda pakkimisega süsteemides näitab dislokatsiooni Burgersi vektor tihedaima pakke suunda kristallis ja on suuruselt võrdne aatomitevahelise kaugusega. Dislokatsioone materjalides võib näha kasutades mikroskoopilisi meetodeid: optilist, elektronmikroskoopiat ja skaneerivat elektronmikroskoopi. Sageli kasutatakse dislokatsioonide mikroskoopiliseks uurimiseks objekti eelnevat söövitamist selektiivsete söövitajatega või dislokatsiooni dekoreerimist. Mõlemad meetodid põhinevad asjaolul, et dislokatsioonil esinevate vabade sidemete tõttu kujutab dislokatsioon materjalis endast energialiiga, mistõttu keemilised protsessid (näit. söövitamine) toimuvad kiiremini ja kristalli
annaabi.ee 
