Mida suurem positiivne pinge paisule rakendub, seda väiksemaks muutub transistori neelu ja lätte vaheline takistus. Pinget võib tõsta ainult teatud väärtuseni, et ei tekiks läbilööki paisu ja n-kanali vahel. a) Formeeritava kanaliga MOP-struktuur b) Indutseeritava kanaliga MOP-struktuur Joonis 3.24. Formeeritava (a) ja indutseeritava kanaliga (b) MOP-struktuurid [Pikkov]. Indutseeritava kanaliga transistori paisu juures on siin kujutatud eelpingestusele viitav sümbol '+' , kuivõrd erinevalt formeeritava kanaliga transistorist ("isejuhtiv") on see transistoritüüp "isesulguv" ja tööks tuleb ta välise pingega avada. Enamasti kasutatakse n-kanaliga MOP-transistore. MOP-transistoridel võib olla väljaviik B (ingl. k. bulk) ehk kontakt aluskristalliga. Tavaliselt ühendatakse see toitepinge negatiivse pooluse külge. Juhul kui väljaviik B on korpustatud elemendist välja toodud,
6) S kus I on ristlõike inertsimoment; bw on ristlõike laius raskuskeskme kohal, võttes vastavalt valemitele (6.16) ja (6.17) arvesse kanalite olemasolu; S on ristlõike surve- või tõmbetsooni staatiline moment raskustelje suhtes; lx l 1,0 eeltõmmatud pingearmatuurile, l pt 2 = 1,0 muud liiki eelpingestusele; lx on vaadeldava lõike kaugus ülekandepikkuse algusest; lpt2 elemendi ülekandepikkuse ülemine arvutusväärtus valemi (8.18) järgi; cp normaaljõu ja/või eelpingestuse põhjustatud betooni survepinge ristlõike raskus- N Ed keskme kohal ( cp MPa-tes, NEd > 0 survel). Ac
annaabi.ee 
