pooljuhtmälu. Mahutab rohkem kui SRAM ja tihti võtab ka vähem voolu. Salvestavad 1 biti informatsiooni ühte transistor mälu pessa. Ehk 1 transistor=1 bit, SRAMi puhul 4transistori=1 bit, 4x effektiivsem on DRAM sellest aspektist. Bit on salvestatud kui elektrilaeng. Chip hõlmas endas kõige vajalikku, et mingile mälupesale ligipääseda, kirjutada sinna 1 v 0, lugeda mälupesa sisu lugemistsükli ajal. DRAMi puhul on tarvis kahte kontrollsignaali, et aadressi kätte saada: rea aadress (row address strobe – RAS) ja veeru aadress (column address strobe – CAS). DRAMi nõrgad küljed: 1. Info on salvestatud elektrilaenguna, millel on omadus aja möödudes kaduda/leakida. Maksimum garanteeritud aeg, mil info salvestud DRAMi on 16ms, sellepärast refreshitakse DRAMe vähemalt iga 16ms tagant, et info kindlalt säiliks. Refreshida ei ole võimalik lugemis/kirjutamis-tsükli ajal. 2
transistor, samas kui SRAMis oli vaja 4-6 transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemaletransistoride arvule bit kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit siis laeng teatud aja möödudes kaobja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidevalt mälu värskendamine, mille käigus kirjutatakse infot pidevalt üle. Odavama hinna tõttu kasutatakse DRAMi suuremahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Alati on mikroskeemides piiratud väljaviikude arv ja selleks, et kogu mälu saaks adresseerida kasutatakse aadressiliinide multipleksorit. Mälu võib vaadelda kui maatriksit, millel on rea ja veeru aadressid. Multiplekseerimine tähendab, et samu liine kasutatakse kord veeru ja kord rea aadressi edastamisel. Täiendavalt on vajalikud 2 signaali mis määravad kas tegu on veeru või rea aadressiga.
annaabi.ee 
