"difusioonimahtuvusest" - 1 õppematerjal

Elektroonika alused (õpik,konspekt)

kahekordseks temperatuuri tõustes 8.. 10 °C võrra. JOONIS 4.10. 4.5. p-n-siirde omaduste sõltuvus sagedusest p-n-siirde talitus sõltub ka rakendatud pinge sagedusest Sageduse mõju saab selgitada joon.4.11. toodud aseskeemiga. Toodud skeemil kujutab Rm pooljuhtmaterjali takistust, R p-n-siirde takistust ja mahtuvus C siirde mahtuvust. Mahtuvus C koosneb omakorda kahest osast: a) laengumahtuvusest, mis on tingitud erinevates pooljuhtides paiknevatest laengutest ja b) difusioonimahtuvusest, mis tekib töö käigus difundeeruvate laengukandjate vahel. Lihtsustatult võime neid vaadelda ühise mahtuvusena. Kuna sõltuvalt rakendatud pingest muutub tõkkekihi paksus, siis muutub koos sellega ka dioodi mahtuvus. Rakendatava pinge sageduse suurenemisel hakkab avalduma mahtuvuse shunteeriv mõju, mis avaldub vastusuuna reziimis, kus siirde takistus väheneb mahtuvusjuhtivuse suurenemise tõttu.  ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 25