46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47. pn- väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. pn-väljatransistori moodustab tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud. Toodetakse nii n- kui p-kanaliga pn-väljatransistore. Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Kanali laius (risti joonise pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega. Transistori normaalsel töörežiimil on paisul lätte suhtes negatiivne pinge. Seega mida suurem on vastupinge, seda kitsamaks kanal muutub ja kanali takistus suureneb. Kanal ei muutu kitsamaks ühtlaselt, nimelt toimub neelupoolses otsas suurem ahenemine. Teatud vastupingel UGS(off) sulgub kanal praktiliselt täielikult
Ka võtab väljatransistor mikroskeemi aluskristallil märksa vähem ruumi kui bipolaartransistor ning väiksem arv tehnoloogilise protsessi vaheastmeid nende tootmisel teeb nad bipolaartransistoridest odavamaks. 3.5.1. pn-väljatransistor pn-väljatransistori aluselemendiks võetakse tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud (toodetakse siiski nii n- kui p- kanaliga pn-väljatransistore). Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Sellise kanali pikkus on tavaliselt mõni mikromeeter ja kanali paksus (kahe p-juhtivusega ala vaheline kaugus) on mikromeetri kandis. Kanali laius (risti joonise 3.21 pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega. Kanali ja paisu vahel paikneb pn-siire, mille laius kasvab koos rakendatava vastupingega. Kanal ise on väga õhuke (µm suurusjärgus). Siirde laienemisel kanalisse kanali voolu läbilaskev ristlõige väheneb
annaabi.ee 
