"defektstruktuurist" - 1 õppematerjal

Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt

kontsentratsiooni suhtes (pooljuhtide elektrilised ja optilised omadused). Tänapäeva pooljuhttehnika põhinebki pooljuhtmaterjali defektstruktuuri kontrollitud lokaalses muutmises. Nii luuakse mikroskeemid, kus materjali defektstruktuur on kontrollitud pinnal lokaalselt täpsusega 0,1 µm ja sügavuses täpsusega 20 - 50 nm. On loodud tehnoloogiad, mis võimaldavad kasvatada materjali üksikute aatomkihtide kaupa. Samal ajal on materjalide mehaaniliste omaduste sõltuvus defektstruktuurist tunduvalt vähem väljendunud. Kristallvõre defekti all mõistetakse igasugust kõrvalekallet ideaalsest võre korrapärasusest. Kristallvõre defekte tavaliselt klassifitseeritakse nende geomeetria või dimensioonide järgi. Vastavalt sellele tehakse vahet 0-mõõtmeliste defektide e. punktdefektide; ühemõõtmeliste defektide e. lineaarsete defektide, kahemõõtmeliste defektide e. kristalliitide vahelised piirpindade ja kolmemõõtmeliste defektide (poorid, võõrfaasid) vahel. 5