tardfaasid, muutus a->B+C Question 5 (10 points) Millised väited on õiged monokristalse struktuuri kohta? (õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) a. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud katkematult b. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest plokkidest c. Puhtad metallid on monokristalsed d. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumiskeskmest (Tuntumad on Bridgmani ja Czochralski meetod) Question 6 (10 points) Kas raual esineb polümorfismi? a. Esineb, kui sulamis on ka süsinik b. Ei esine c. Olenevalt raua süsinikusisaldusest esineb d. Esineb, muutus toimub kahel temperatuuril 911 C, 1392 C Question 7 (10 points) Mis on asendustüüpi tardlahus? a. Kahe erineva komponendi aatomid moodustavad erinevad kristallivõred, mis asetsevad teineteise suhtes kihtidena väga väikeste vahede tagant. b
(õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) Correct Student Response Value Answer A. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse 50% tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumiskeskmest (Tuntumad on Bridgmani ja Czochralski meetod) B. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest -10% plokkidest C. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud 50% katkematult D. Puhtad metallid on monokristalsed -20% Score: 10/10 7. Mida tähendab mõiste polümorfism? Correct Student Response Value
Student Response Value Correct Answer A. Monokristalne struktuur koosneb monoliitsetest plokkidest -10% B. Puhtad metallid on monokristalsed -20% C. Monokristalses struktuuris on aatomid järjestatud katkematult 50% D. Monokristalsed struktuur saadakse kui luuakse tingimused 50% kristalli kasvuks ühest kristalliseerumiskeskmest (Tuntumad on Bridgmani ja Czochralski meetod) http://webct6.e-uni.ee/webct/urw/lc283691001.tp11885591001/ViewStudentAttempt.... 18.05.2007 View Attempt . 3 4 7. Kas raual esineb polümorfismi? Student Response Value Correct Answer A. Esineb, kui sulamis on ka süsinik 0% B. Olenevalt raua süsinikusisaldusest esineb 0%
Grafiiti ei saa aga kasutada, kuna süsinik reageerib räniga. Pooljuhtpuhtusega räni saamise tehnoloogia peamised etapid: - tehnilise Si üleviimine kloriidiks Si + 4 HCl = SiCl4 + 2 H2 (300 400 OC); - SiCl4 destillatsioon, ekstraktsioon ja rektifikatsioon; - SiCl4 taandamine vesinikuga SiCl4 + 2 H2 = Si + 4 HCl (1000 OC); - Si lõplik puhastamine vertikaalse (tiiglivaba) tsoonsulatuse meetodil vaakuumis; - legeeritud monokristallide kasvatamine sulandist tõmbamise (Czochralski) meetodil. Räni puhastamist tsoonsulatuse meetodil ja legeeritud monokristallide kasvatamist vaatleme hiljem materjalide valmistamise peatükis. Ränil on äärmiselt head omadused, mistõttu valmistatakse temast kõikvõimalikke seadiseid ja mikroskeeme. Ainuke puudus laengukandjate rekombinatsioon on mittekiirguslik, kuna juhtivustsooni ja valentstsooni ekstreemumid ei asu kohakuti (sama impulsi juures). Seetõttu ei saa ränist
Hinnalt on palju kallim. Kasutatakse koormatud detailide korral. Mõningad vedrud, detailid, mis puutuvad kokku mereveega, silindrite hülsid, vesijahutusega mootorite välispinnad. 34. Niitkristallid. Suure tugevusega, oma defektivaba struktuuri tõttu.Ta on monokristall, mille aatomid moodustavad defektideta kristaalvõre. Monokristalle saadakse kui luuakse tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumise keskmest. Tuntumad lahendused on Bridgmani ja Czochralski meetodid. Mida väiksem on niitkristall, seda vähem on kristallvõres defekte ja seda tugevam on monokristall. Mistahes tüüpi kristallvõres paiknevad aatomid korrapäraselt, kuid aatomite arv kristallvõre erinevates tasapindades ja suundades on erinev.Sellest on tingitud ka kristallvõre erinevad omadused erinevates suundades (anisotroopsus). Tehnilised metallid on polükristallilised, milles üksikud kristallid on erinevalt orienteeritud üksteise suhtes
annaabi.ee 
