Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Väljatransistoridel puudub soojuslik läbilöök. Väljatransistorite Puudused Võrreldes bipolaartransistoridega on väljatransistoride tüüriv elektrood väga tundlik staatilise elektri suhtes ja sageli üle 20 voldi pinget ei talu. Väljatransistore võib olla kohati keerulisem tüürida, nende jaoks valmistatakse spetsiaalseid draivereid. Võimsaid ja kõrgepingelisi väljatransistore on väga raske valmistada ja üle 200-voldise pinge puhul neid tänapäeval veel kasutada ei saa. Erinevus
87. Kahekordse integreerimisega ADM 88. Lihtne DAM 89. Loenduriga ADM 90. Paralleelne ADM (Flash) Küsimuse konkreetne sõnastus eksamipiletis võib veidi erineda siintoodust. Eksamil tuleb vastata kirjalikult viiele küsimusele ja lahendada ülesanne, milles tuleb etteantud lülitusskeemi jaoks välja arvutada ühe lülituselemendi väärtus või pinge (või voolu) väärtus lülituse mingis punktis. Ülesannetes käsitletavateks teemadeks on operatsioonvõimendi rakendused, bipolaartransistoridega võimendusastmed, lihtsad püsivoolu- ja püsipingeallikad. 2
6.5 Tagasiside võimendites 6.5.1 Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele 6.5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid 6.5.4 Parasiitne tagasiside 6.6 Transistori töö lülitireziimis 6.6.1 Impulsside liigid ja parameetrid 6.6.2 Bipolaartransistori töö lülitireziimis 6.6.3 Väljatransistori töö lülitireziimis 6.7 Stabiilse voolu generaatorid 6.7.1 Bipolaartransistoridega püsivooluallikad 6.7.2 Väljatransistoridega püsivooluallikad 6.7.3 Voolupeegel Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 1 Märkus: bipolaartransistori kollektorit võidakse allpool tähistada nii tähega K kui tähega C. Mõlemad tähistused on võrdväärsed. 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid Pikkov lk 60
Tabel 3.3. Väljatransistoride struktuuride tingmärgid. Diskreetkomponendi (üksiku omaette korpuses komponendi) korral ümbritsetakse struktuuri tingmärk elemendi korpust tähistava ringiga. Nimetus n-kanaliga p-kanaliga pn-väljatransistor formeeritava kanaliga ja isoleeritud paisuga väljatransistor indutseeritava kanaliga ja isoleeritud paisuga väljatransistor Võrrelduna bipolaartransistoridega on väljatransistoridel suur sisendtakistus, pn- väljatransistoridel sajad megaoomid ja MOP-transistoridel sajad gigaoomid. Väljatransistoride parameetrid sõltuvad vähem temperatuurist. Soojusläbilöögi oht on neil väike, sest temperatuuri kasvades neeluvool mitte ei kasva, vaid väheneb. Väljatransistorid on voolusäästlikumad kui bipolaartransistorid (see kehtib eriti digitaalelektroonika elementide valdkonnas). Väljatransistoriga võimendi võib töötada
annaabi.ee 
