Ehitus silikooni põhjal npn transistor Kirchoffi reegliga ie = ik + ib s.o. sisendkarakteristik, kus ik~ie ehk see on läbivvool Nool ringis näitab voolusuunda. Maa on neil ühine elektrod => juhitakse baasi poolt Transistori väljundkarakteristikud: 5 Ühtlaste vahedega baasivoolude korral ik ik Transistori parameetrid: h21e = ib ib See on voolu võimenduse tegur u be h11e = - leitakse kui dif. takistus sisendkarakteristikult ib h21e = 100...250 tavaliselt pnp on tavaliselt abistav variant. Seal on kõik vastupidi ehk siis augud juhivad voolu jmt. 1.11. Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid
Jääkvoolude mõõteskeemid on toodud joonisel 6.21. JOONIS 6.21. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.47 6.5.4. Võimendusparameetrid. Vooluvõimendustegur h21e (tähistatakse ka ja hfe) on väljundvoolu muutuste ja seda põhjustanud sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi korral CE lülituses. Staatiline vooluülekandetegur B (tähistatakse ka HFE ja h21E) on CE lülituses kollektori- ja baasivoolude suhe alalisvoolureziimis. Läbivjuhtivus ehk tõus y21 (ka S) on väljundvoolu muutuse ja sisendpinge muutuse suhe (ühikuks mA/V või mS). Võimsusvõimendustegur G p on väljundvõimsuse ja sisendvõimsuse suhe sobitatud koormuse korral. Väljundvõimsus Pout on võimendusastmest etteantud sagedusel saadav võimsus. Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab
annaabi.ee 
