"attriitorisse" - 1 õppematerjal

Kermised ehk kõvasulamid

Protsess toimub praktiliselt toatemperatuuril, mis annab tunduva energia kokkuhoiu võrreldes eelpoolkirjeldatud karbiidiseerimisprotsessiga. Veelgi olulisem on fakt, et sel viisil saadud TiC pulbriosakeste suurus on mõnikümmend nanomeetrit. See pulber võib olla lähtematerjaliks nanostruktuursete (< 200 nm) või ülipeene struktuuriga (< 400 nm ) kermiste saamiseks. Näiteks, nanostruktuurse TiC saamiseks Ti ja grafiidi pulber asetatakse attriitorisse, lisatakse piiritust, puhutakse läbi argooniga ja jahvatatakse. Kõrgenergeetilise jahvatuse käigus moodustub TiC juba peale 2 tunnilist jahvatust (joon.3). Suurema kuulide ja segu suhte (k:s) korral on TiC moodustumine kiirem. Ka rootori pöörete arvu suurendamine kiirendab TiC teket. Uudne protsess on eriti efektiivne kuna TiC moodustumine toimub toatemperatuuril ja tekkivad karbiidiosakesed ei ületa 10 nanomeetrit