Tehnomaterjalide eksami materjal
madalatemperatuurne modifikatsioon annab aga piiratud tardlahused ja (joonis
1.46a, lk 43), tekib primaarsel kristalliseerumisel vedelfaasist (L) piiramatu tardlahus
(L) ning sekundaarsel ümberkristalliseerumisel tekib tardfaasist, olenevalt koostisest, kas
ja tardlahuste kirstallide segu ( + ) või piiratud tardlahused ja () ().
Asendustardlahus (lahustuva komponendi aatomid asendavad lahustajakomponendi
aatomied). Lahustuvus võib asendustardlahuste korral olla piiratud või piiramatu. Näiteks kui
komponent A (lahustaja) ja komponent B (lahustunud) moodustavad piiratud tardlahuse , siis
see on B komponendi tardlahus komponendis A. Piiramatud (täielikud) tardlahused tekivad
metallide korral, mille aatomiraadiused ei erine rohkem kui 15% ja mis omavad üht tüüpi
kristallvõresid ( on isomorfsed) ja ligilähedased füüsikalis-keemilisi omadusi.
Sisendustardlahused (lahustuva komponendi aatomid paigutuvad lahustajakomponendi