Eristatakse kahte tüüpi MOP-transistore. Kui juhtiv kanal on juba pooljuhti moodustatud, siis on tegemist formeerkanaliga väljatransistoriga. Teise klassi moodustavad indutseerkanaliga väljatransistorid, millel tekib kanal alles seadise pingestamisel. Indutseerkanaliga väljatransistorid on rohkem levinud, kuna nende valmistamisel on tehnoloogilisi protsesse vähem. Indutseerkanaliga transistori saamiseks moodustatakse p-juhtivusega räni aluskristalli kaks kõrglegeeritud n+-piirkonda, kuid juhtivat n-kanalit nende vahele ei tehta. Kahe n+-piirkonna vaheline ränikristalli pind kaetakse oksiidikihiga, mis omakorda kaetakse õhukese alumiiniumikihiga, tekib pais. Juhul kui paisul pinge puudub, on struktuuris kaks vastupingestatud dioodi (pn+-siiret). P-aluskristallis on positiivsed laengukandjad – augud – ülekaalus, kuid seal leidub ka negatiivseid laengukandjaid – elektrone.
Kui juhtiv kanal on tehnoloogiliselt juba pooljuhti moodustatud, siis on tegemist formeerkanaliga väljatransistoriga. Teise klassi moodustavad indutseerkanaliga väljatransistorid, millel tekib kanal alles seadise pingestamisel. Indutseerkanaliga väljatransistorid on rohkem levinud, kuna nende valmistamisel on tehnoloogilisi protsesse vähem. Indutseerkanaliga väljatransistor on kujutatud joonisel 3.23. Indutseerkanaliga transistori saamiseks moodustatakse p-juhtivusega räni aluskristalli kaks kõrglegeeritud n+-piirkonda, kuid juhtivat n-kanalit nende vahele ei tehta. Kahe n+-piirkonna vaheline ränikristalli pind kaetakse oksiidikihiga, mis omakorda kaetakse õhukese alumiiniumikihiga, mis moodustab paisu. Joonis 3.23. Indutseerkanaliga MOP-väljatransistori ehitus ja tingmärgid. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 30
mitmesugused abilülitused. Nende puuduseks on väiksem lülituselementide arv ühel 1 kristallil ning seega ka tagasihoidlikumad funktsionaalsed võimalused. Teiseks oluliseks puuduseks on mitu suurusjärku suurem võimsustarve. Väljatransistoridel on ehitatud suurem osa mikroprotsessoreid ja mäluelemente, mis nõuavad suurt elementide tihedust ning vähem võimsust. Puuduseks on oluliselt väiksem töökiirus. Npn-bipolaartransistor: Räni-aluskristalli tekitatakse difusiooni teel n- ja p- piirkonnad, mis moodustavad transistori. Pärast difusiooniprotsesse kristalli pind oksüdeeritakse, mis annab väga hea SiO2-isoleerkihi. Kontaktpindade moodustamiseks jäetakse isoleerkihti maski abil sobivad avad. Ühendusjuhtmed moodustatakse alumiiniumist samuti fotolitograafia abil. Bipolaartransistore kasutatakse põhiliselt kahte tüüpi lülituselementide valmistamiseks. Esimesteks on TTL-tüüpi loogikaelemendid (transistor-transistor-
annaabi.ee 
