3 D=D o exp ( ) −Qd RT =2,3∗10−5 exp ( −148∗10 8,314∗ 273,15+980 ( ) ) =1,56∗10−11 m2 / s kus, D – difusiooni koefitsient (kiirus), m2/s ; Do - temperatuurist sõltumatu suurus, m2/s (tabelis 2); Q - difusiooni aktivisatsioonienergia, kJ/mol (tabelis 2); R - universaalne gaasi koefitsient (8,314 J/mol*K); T - temperatuur, K (273,15). Protsessiks kuluva aja t leidmine: C x −C0 x C s−C 0 =1−erf ( 2 √ Dt ) kus, Cs – pinnakontsentratsioon (keskkond); Co - lisandi lähtekontsentratsioon materjalis; Cx - lisandi kontsentratsioon mingis punktis x; x - kaugus pinnast; D - difusioonikoefitsient: t - aeg.
Vakantsid on lihtsamateks punkdefektideks (joon. 3.39). Vakantsid võivad tekkida kas materjali tahkumisel kui lokaalsed häiritused ideaalsusest kui ka kristallvõre võnkumiste fluktuatsioonide tõttu tekkinud aatomite ümberpaigutumise tulemusena juba väljakujunenud kristallides. Vakantside tasakaaluline kontsentratsioon materjalis suureneb temperatuuriga vastavalt (joon 3.38). Q N v = N exp - T kT kus, N - võrekohtade arv; Q t - vakantsi aktivisatsioonienergia (energia, mida on vajalik anda võrele, et toimuks vakantsi moodustumine); T - absoluutne temperatuur Kelvini kraadides K - gaasi e. Boltzmanni konstant. K väärtus on 1,38 . 10-23 J/aatom·K ehk 8,62 . 10-5 eV/aatom K ehk kui anname mooli aine kohta siis k asendub R - 8,31 J/mool K e. 1,987 cal/mool K. Kui vakantside kontsentratsioon materjalis vastab võrrandiga arvutatule, siis nimetatakse seda tasakaaluliseks vakantside kontsentratsiooniks
annaabi.ee 
