traadi raadius Gibbsi pindliig ja Gibbsi adsorptsiooniisoterm Gibbsi adsorptsiooniks e. Gibbsi pindliiaks nimetatakse aine hulka, mis tuleb lisada süsteemile, kui pindala suureneb ühe ühiku võrra (näiteks 1 cm2) selleks, et aine kontsentratsioon süsteemis jääks samaks. Näitab aine liiga või puudujääki pinnal, võrreldes faasi Sisemusega (võib olla nii positiivne kui negatiivne suurus). Et mõista adsorptsioonilist käitumist lahus gaas piirpinnal, on vaja sõltuvust, mis seoks Gibbsi pindliia G, pindaktiivse aine kontsentratsiooni c, ja pindpinevuse s. Lahus-gaas piirpind (Gibbsi võrrand) = -c/RT * /c , kus, c PAA kontsentratsioon lahuses, pindpinevus vedelik-gaas pinnal, - adsorbeeritud aine liig pinnakihis Gibbsi võrrandist järeldub: *Kui pindpinevus suureneb kontsentratsiooni kasvades d/dc>0, siis <0 ja lahustunud aine kontsentratsioon pinnakihis on väiksem, kui lahuse ruumalas
raadius Gibbsi pindliig ja Gibbsi adsorptsiooniisoterm Gibbsi adsorptsiooniks e. Gibbsi pindliiaks nimetatakse aine hulka, mis tuleb lisada süsteemile, kui pindala suureneb ühe ühiku võrra (näiteks 1 cm2) selleks, et aine kontsentratsioon süsteemis jääks samaks. Näitab aine liiga või puudujääki pinnal, võrreldes faasi Sisemusega (võib olla nii positiivne kui negatiivne suurus). Et mõista adsorptsioonilist käitumist lahus gaas piirpinnal, on vaja sõltuvust, mis seoks Gibbsi pindliia G, pindaktiivse aine kontsentratsiooni c, ja pindpinevuse s. Lahus-gaas piirpind (Gibbsi võrrand) = -c/RT * /c , kus, c PAA kontsentratsioon lahuses, pindpinevus vedelik-gaas pinnal, - adsorbeeritud aine liig pinnakihis Gibbsi võrrandist järeldub: *Kui pindpinevus suureneb kontsentratsiooni kasvades d/dc>0, siis <0 ja lahustunud aine kontsentratsioon pinnakihis on väiksem, kui lahuse ruumalas
annaabi.ee 
