Elektroonika
Üldjuhul n sisendit ja m- väljundit. n ja m on sõltumatud suurused.
Ei on mingi loogiline korrutis.
Ühesuunaline juhtivus horisontaaljuhtmelt vertikaaljuhtmele.
Y1 = E1 E4 = X 1 X 2 X 3 X 3 X 4
188
6.7.2 Muutmälu (operatiivmälu) (RAM)
Eksisteerivad staatilised (sRAM) ja dünaamilised (dRAM) variandid.
Staatiliste mälude pesades iga biti jaoks on ettenähtud üks triger.
Staatilistel mäludel on enamasti lineaarne adresserimine
adresseeritakse üks sõna korraga.
189
Dünaamilises (dRAM) mälus iga biti pesaks on väike kondensaator.
Biti väärtust näitab laeng kondensaatoris. Reaalselt püsib laeng
kondensaatoris väga lühikest aega, umbes 2 ms. Selle tõttu
dünaamiline mälu vajab pidevat värskendamist, ca 500 korda
sekundis. Mälu värskendamine seisneb laengu taastamises.
Dünaamilised mälud on enamasti realiseeritud maatriks
adresseerimisena