Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt
suurema valentsiga metall lahustub põhiaines paremini kui asendatavast elemendist
väiksema valentsiga metall;
45
· struktuuri faktor - tahke lahuse tekkeks asendatav ja asendav metall peavad omama
sama või lähedast kristallstruktuuri.
Näitena vaatleme nikli asendusliku tahke lahuse teket vases. Süsteemis Cu-Ni esineb
piiramatu vastastikune lahustuvus. Võrdleme aatomraadiuseid: Cu = 0,128 nm ja Ni = 0,125
nm; elektronegatiivsusi Cu = 1,9; Ni = 1,8; valentse, Cu põhivalents + 1 (on võimalik ka
valents +2) ja Ni +2. Mõlemad metallid kristalliseeruvad PTK kristallstruktuuris. Seega on
täidetud ülaltoodud tahke lahuse tekke kriteeriumid.
Võrevahelise lisandiga tahke lahuse tekkel täidab lisandaatom tühimiku põhiaatomite vahel.
Et metallidele omastes tiheda pakkimisega kristallsüsteemides on PF suur (0,68 - 0,74), siis