"aatomitihedust" - 1 õppematerjal

Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt

v 4,70 10 - 29 m 3 Eksperimentaalselt leitud tihedus vasele Cu = 8,969/cm3. Teoreetilisest natuke väiksem eksperimentaalne väärtus on tingitud kristalldefektidest materjalis (vakantsid, dislokatsioonid, kristallide vahelised piirpinnad). Kristalldefekte vaatleme lähemalt järgmises peatükis. 4.8.2. Planaarne aatomehitus (joonis 3.33). Sageli on vajalik määrata aatomtihedused erinevatel kristalli tahkudel. Seda nn. planaarset aatomitihedust on võimalik arvutada aatomite arv mille tsentrid paiknevad antud pindalas pl = vaadeldava pindala suurus Joonisel 4.26 on esitatud (110) tasapind RTK kristallsüsteemis ja vastavad aatomite poolt hõivatud alad antud tasapinnas elementaarraku lõikes. Arvutusnäide Arvutame planaarsete aatomite tiheduse pl 110 tasapinnas RTK -rauas ühikutes aatomit/mm2. -raua võrekonstant on 0,287. Lahend