Elektriajamite elektroonsed susteemid
integreeritud lülititalitluses toiteahel) ja kõikide teiste jõutransistoride potentsiaalil olevate
lülituste puhul.
Ühildatud kaitse-ja diagnostikafunktsioonid. MOSFET-või IGBT-moodulite kaitseks
liigvoolude, lühiste, kollektor-emitteri liigpinge, paisu liigpinge, liigkuumenemise eest ja
juhtpingete UGG+ ning UGG- jälgimiseks soovitatakse mitmeid tõhusaid kaitse-ja
diagnostikafunktsioone.
IGBT/MOSFET-juhtimismoodulites kasutatakse vooluanduritena Halli andureid või
mõõtetakisteid (sunte), mis ühendatakse emitteri/lätte väljaviiguga jadamisi (joonis 3.21, a).
IGBT- transistoridel saab voolu määramise, liigvoolu-ja lühisvoolu piiramise osaliselt ühildada
nende küllastumatusnähtusega. Küllastumatus tekib IGBT avanemisel, kui kollektor-emitteri
C1
UGG+
RG(on)
Rin
annaabi.ee 
