Materjateaduse üldalused.
aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid
paigutunud ebaregulaarselt. Tekivad kristallide kasvamisel, -plastilisel deformeerimisel;
-vakantside kogunemisel; -tahkete lahuste tekkimisel.
On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1)ääre dislok-lisapoolaatomkihi lõppemise äär.; 2)
vintdisl- ülemine aatomtasapind on nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes aatomite vahlise
vahemaa võrra.
Dislokatsioonide uurimiseks kasutatakse optilist ja elektronmikroskoopiat. Enne optilise
mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli pinnal nähtavaks
söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kkuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat, siis
toimub seal kritalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid. Süvendite kuju järgi
saab määrata välispinna tasapinna tüüpi. Dislokatsioonid ei ole tasakaalulised defektid.
3
annaabi.ee 
