Omadused Hõbedase läikega, kerge (2330 kg/m 3) materjal. Pooljuht (legeerimata räni eritakistus toatemperatuuril ca 10-3 Wm). Saamine Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element (27 massi%) , puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse (lõppastmes tsoonsulatusega) väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall . Rakendused Mikrokiipide jt. pooljuhtelemetide tootmiseks. Räni on materjal, millele tugineb kogu tänapäevane info- ja kommunikatsioonitehnoloogia. Kiiresti kasvavat tähtsust omavad räni rakendused päikeseenergeetikas päikesepatareides. Päikesepatarei polükristalsest ränist. Millest on tingitud päikesepatarei paneeli
Kristalsena esineb see hallikasvalge kvartsi terakestena graniidis. Ahhaat ja tulekivi sisaldavad nii amorfset kui ka kristalset ränidioksiidi.(11) 3. Saamine Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element (27 massi%) , puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse (lõppastmes tsoonsulatusega) väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall. (2) Lihtaine saamine: Räni saadakse puhtast kvartsliivast redutseerimisel magneesiumi või söega (koksiga) kõrgel temperatuuril: SiO2+2Mg2MgO+Si SiO2 + 2C 2CO + Si (kaarleekahjus 1800 ºC) Viimasel reaktsioonil võib tekkida ränikarbiid (SiC), mis reageerides ränidioksiidiga moodustub Si ja CO: 2SiC + SiO2 3Si + 2CO
Al ~5 2,4 2,16 1,6 Ga 3,34 2,25 1,45 0,79 In 1,98 1,34 0,46 0,17 Enimkasutatav on GaAs, üldse 2. kohal pärast Si. Keelutsooni laius (1,45 eV) on suurem kui Si-s ja seega ka max töötemperatuur kõrgem (kuni 450 OC). Elektronide liikuvus (0,95 m2/V s) on aga tunduvalt suurem kui ränis ja ka germaaniumis. GaAs saadakse komponentide koossulatamise teel. Puhastamine toimub peamiselt tsoonsulatusega ja monokristalle kasvatatakse sulandist tõmbamise teel. Need operatsioonid viiakse läbi hermeetilistes kvartskonteinerites As rõhu all, et vältida GaAs sublimatsiooni. Kasutatakse väga palju. Kuna juhtivustsooni ja valentstsooni ekstreemumid on kohakuti, saab kasutada kiirgusallikate valmistamiseks. 2.3.4 AIIBVI tüüpi ühendid Need on II rühma elementide (Zn, Cd, Hg) ja VI rühma elementide (S, Se, Te) ühendid.
annaabi.ee 
