IGBT, Insulated-gate bipolar transistor) on jõuelektroonika pooljuhtseadis, mida kasutatakse kiiretoimelistes, suurevoolulistes ja suhtelistelt kõrge pingega ahelates lülititena. IGBT ühendab endas kõrge voolutaluvuse ja madala pingelangu, mis on mõlemad iseloomulikud bipolaartransistorile, ning pingega tüürimise, mis on iseloomulik väljatransistorile. Kasutatakse näiteks elektriautodes ja hübriidautodes vahelduvvoolumootori jaoks loodud juhtimisskeemides, samuti trollibussides veomuunduritena. Pingetel üle 600 V ja sagedustel kuni 20 kHz on IGBT-transistorid tänapäeval MOSFET-jõutransistore välja tõrjumas. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Joonis 3.19. 3300V 1200A Mitsubishi IGBT [http://et.wikipedia.org/wiki/Isoleeritud_paisuga_bipolaartransistor]. 3.4.5 Liittransistor
Kôrgepingekontaktide puhul nôutakse materjalilt suurt korrosiooni- ja elektrikaarekindlust. Avanemise esimesel etapil kontaktpind väheneb, voolutihedus suureneb, tekib elektrikaar ja materjal kuumeneb kuni sulamiseni (isegi aurustumiseni). Tugevvoolu kôrgepingekontaktid on mitmesugused kôrgepingelülitid energiasüsteemide sisse- ja väljalülitamiseks. Tugevvoolu liugkontaktid on kasutusel elektrirongides, trollibussides, autodes, metallitöötlemispinkides jne. Need materjalid peavad olema elektrierosioonikindlad, piisavalt kôvad ja tugevad ning ei tohi kokku keevituda. Liugkontaktid kujutavad endast hôôrdepaari. Nad võimaldavad võtta voolu 15-20 A/cm2, töötades seejuures kiirusega kuni 25 m/s, hõõrdeteguriga 0,2-0,25. Täiendavalt legeeritud vask-grafiitkontaktid immutatuna tina või seatinaga (<7%) võimaldavad voolutihedust 27A/cm2 , libisemiskiirus kuni 55 m/s, hõõrdetegur
annaabi.ee 
