Teema 3, Pooljuhtseadmed
Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid
pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26).
- Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris
(27...30).
- Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32).
- Bipolaarne liittransistor (33).
- Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte,
tunnussuurused (34...37).
- Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor.
Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41).
Käesoleva teksti sisujaotus:
3.1 Pooljuhtmaterjalid
3.2 pn-siire
3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel
3.2.2 Päripingestatud pn-siire
3.2.3 Vastupingestatud pn-siire
3.3 Pooljuhtdioodid
3.4 Bipolaartransistorid
3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel
3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK
3
annaabi.ee 
