"triivpiirkonnas" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

Joonis 3.14 näitab, et IGBT-transistori paisupinge peab olema sulgemisel ja suletud olekus emitteri potentsiaali suhtes negatiivne (soovitatavad pinge väärtused -5...-8...-15 V). See tekitab sulgemiseks vajaliku negatiivse paisuvoolu (pinge UGE läheneb pingele UGE(th)), mis on piisav, et  108 tekitada sulgumisaja vältel kiire pingemuutuse sUCE abil n- triivpiirkonnas positiivne ruumilaeng. Antud protsessiga kaasneb kiirelt mööduv jääkvool ehk sabavool (tail current). Juhtimistingimuste mõju lülitusomadustele. Kuna IGBT-ja MOSFET-jõutransistoride tähtsamad juhtimisomadused sõltuvad juhtpingetest (UGG+ või UGG-) ja paisutakistusest (RG), on alljärgnevas tabelis toodud ülevaade juhtimisomaduste ja transistori põhiparameetrite vahelisest sõltuvusest.