"triivipiirkonnas" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

1996. aastal väga madala avatud oleku takistusega (neelu ja lätte vahelise takistusega), kuid madalate pingetega (UDS max < 100 V, RDS < 6 m, UDS = 30 V) transistoride tootmist. CoolMOS- transistoride kasutuselevõtmine aastal 1998 võimaldas veelgi vähendada avatud oleku takistust RDS, võrreldes tavalise MOSFET-transistoriga ligikaudu 5...6 korda. Samuti suurenesid ka transistoride pinged UR = 0,6...1 kV. Vertikaalsete p-juhtivusega ribade kasutamine siirde triivipiirkonnas võimaldas laiendada ka ruumilaengu piirkonda horisontaalsuunas, mille tulemusena vähenes transistoride paksus ja seega vähenesid juhtivus-ja lülituskaod ning  69 IF1 I VD1 IF IF VD2