"taastuvlaengu" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

a. b. Joonis 3.17 transistoridel, mis tagavad nõutava võimsuse hajutamise, avanemis-liigpingeimpulsside suuruse ja lühisetalitluse. Neelu või kollektori voo (ID või IC) ja esifrondi kestus lüheneb paisuvoolu kasvamisel (kõrgem UGG+ või väiksem RG). See suurendab aga voolu kasvamise kiirust sIF vabavooludioodis, mis omakorda määrab taastuvlaengu QRR ja maksimaalse vastuvoolu IRRM. Joonisel 3.17 on näitena toodud vabavooludioodide, mida kasutatakse SEMIKRON SEMITRANS IGBT-moodulites, tüüpilised tunnusjooned. Taastuvlaengu QRR ja maksimaalse vastuvoolu IRRM suurenemine põhjustab transistori sulgumisel suuremat hajuvõimsust sisemises vabavooludioodis. Kiirem voolu kasvamine sIF , mis on põhjustatud taastuvlaengu QRR ja maksimaalse IRRM vastuvoolu suurenemisest, võib