Elektriajamite elektroonsed susteemid
QGG Paisu laeng UGE = 0...+15 V 120 nC
td(on) Avanemisviivitus RG(on) = 22 , UCC = 300 V, 50 ns
tr Esifrondi kestus IC = 50 A, j = 125 °C, 40 ns
E(on) Avanemisenergia UGE = ±15 V 2,5 mJ
td(off) Sulgumisviivitus RG(off) = 22 , UCC = 300 V, 300 ns
tf Taastumisaeg IC = 50 A, j = 125 °C, 30 ns
E(off) Sulgumisenergia UGE = ±15 V 1,8 mJ
Joonis 3.14 näitab, et IGBT-transistori paisupinge peab olema sulgemisel ja suletud olekus
emitteri potentsiaali suhtes negatiivne (soovitatavad pinge väärtused -5...-8...-15 V). See tekitab
annaabi.ee 
