suure energiaga liigpingeimpulsid (teatud piirini), pole neile ohtlikud. Alaldustüristoride väljalülitumisaeg tq on suhteliselt pikk: tq >500 ms. Inverteritüristorid sobivad kasutamiseks sundkommutatsiooniga muundurites Inverteritüristoride väljalülitumisaeg tq = 150 ... 500 ms. Kiired türistorid (Fast Thyristors) sobivad kasutamiseks vaheldites ja kõrgete sagedustega ahelates, kuna neil on lühike sulgumisaeg (kuni 100 ms). Siia kuuluvad eriti kiire toimega GaAs türistorid, millede voolud on tänapäeval kuni 200 A ja pinged kuni 300 V. Nende lubatavad voolud ja pinged on mõnevõrra väiksemad kui räni- alaldustüristoridel (mõnisada amprit ja mõnisada volti). Valgusega tüüritavad türistorid LTT (Light Triggered Thyristor) lülituvad sisse valgusimpulsi mõjul, mis juhitakse türistori valgustundlikku alasse kiudoptilise valgusjuhiga
Antud protsessiga kaasneb kiirelt mööduv jääkvool ehk sabavool (tail current). Juhtimistingimuste mõju lülitusomadustele. Kuna IGBT-ja MOSFET-jõutransistoride tähtsamad juhtimisomadused sõltuvad juhtpingetest (UGG+ või UGG-) ja paisutakistusest (RG), on alljärgnevas tabelis toodud ülevaade juhtimisomaduste ja transistori põhiparameetrite vahelisest sõltuvusest. Parameeter UGG+ kasvab UGG- kasvab RG kasvab Sulgumisaeg ton lüheneb jääb samaks kasvab Avanemisenergia pulsi kohta Eon väheneb jääb samaks suureneb Sulgumisaeg toff pikeneb lüheneb pikeneb Sulgumisenergia pulsi kohta Eoff jääb samaks väheneb suureneb Impulssliigvool avanemisel kasvab jääb samaks langeb
annaabi.ee 
