ARVUTID I (IAF 0041)
Tänu väiksemale transistoride arvule biti kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt
suurem.
Kuivõrd pole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info
hävib. Selle vältimiseks toimub DRAMis pidev mälu värskendamine, mille käigus kirj
pidevalt infot uuesti üle.
SRAMIist odavama hinna tõttu kasut suuremahulise põhimälu valmistamiseks
Aeglasem kui SRAM
Säiliv
o Maskiga programeeritav mälu püsimälu – ROM
Programmeeritakse mikroskeemide tootja juures valmistamise käigus
Kasutaja ei saa muuta mälu sisu
Väheneb paindlikkus, sest muudatuste tegemine on kulukas ja aeganõudev