suurim valgusvõimsus. Tabel 4.2. Valgete valgusdioodide põhiandmed [3]. Elektroonika alused. Teema 4 Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed 14 (43) Valguse paremaks suunamiseks on dioodil enamasti sfääriline või paraboolne polümeermaterjalist lääts ning vahel ka nõgus valgust peegeldav pind. Valgusdioode toodetakse väga erineva kuju ja sokeldusega, näiteks ümmargusi, ristkülikukujulisi, kolmnurkseid, segmendikujulisi jt. Valgusdioode kasutatakse ka valgusindikatsioon- tabloodes. Ettenähtud töövooluga võivad valgusdioodid temperatuuril kuni +25oC töötada kestvalt aastaid. Kõrgemal lubataval siirde temperatuuril (enamikul seadistel +70 oC) peab vool olema kaks korda väiksem. Ka on nende kasutegur tunduvalt kõrgem kui hõõglambil, sest erinevalt hõõglambist ei lähe enamus energiast soojuse tootmiseks.
C Rthh = - Rthjc - Rthch - Rthw = - 0,85 - 0,5 - 0,3 = 3,65 , PVT 10,38 W kus Rthw = 0,3 on 1,5 mm paksuse alumiiniumoksiidist isoleertihendi ALO-220 soojustakistus. TO-220 sokeldusega MOSFET-transistoridel on isoleerimata alusplaat ja seetõttu on vajalik isoleertihend, et isoleerida dioodide ja transistoride potentsiaalid jahutusradiaatori potentsiaalist. Eraldatud seadiste korral võib isoleertihend puududa. Suure võimsusega muunduritele, mis töötavad kõrgendatud keskkonnatemperatuuril (a = 70...80 °C), tuleb valida suurema pinnaga ja väiksema soojustakistusega jahutusradiaator. Dioodi arvutus. Diood VD juhib koormusvoolu, siis kui transistor VT on suletud.