Ühise kollektoriga (ÜK) e. nn emitterjärgija (emitterjärguri) skeemi puhul saadakse ainult vooluvõimendus (pingevõimendus KU < 1). Lülitust iseloomustab suurim sisendtakistus (kuni sadade kilo-oomideni), mis suureneb väga kiiresti koos koormustakistuse suurendamisega. Väljundtakistus on väiksem kui ülejäänud lülitustel (mõnest kümnendikust oomist kuni mõne tuhande oomini). Lülitust kasutatakse eelvõimendusastmetes, kui vajatakse suurt sisendtakistust ja väikest sisendmahtuvust; samuti võimsusvõimendites, kui on vaja saada väike väljundtakistus või väike mittelineaarmoonutus (alla 1%). Pikkov lk 30 (järg) ÜB-lülituse sisend- tunnusjoonteks on emitterivoolu IE
CRSS 440 pF Joonisel 3.10 on IGBT-transistori lihtsustatud siirdetunnusjooned avanemisel. Avanemisprotsessi võib jagada kolmeks etapiks: paisu-emitteri mahtuvuse laadimine, paisu- kollektori mahtuvuse laadimine ja paisu-emitteri mahtuvuse laadimine IGBT-transistori täieliku küllastumiseni. Ajavahemiku t0 vältel laeb paisuvool IG sisendmahtuvust CGE ja paisu-emitteri vaheline pinge UGE kasvab läviväärtuseni UGE(th). Kuna UGE on ikka veel madalam kui UGE(th), puudub sellel etapil kollektori vool ja kollektor-emitteri vaheline pinge UCE on võrdne toitepingega (UCC). IGBT-transistori avanemisprotsess algab kohe, kui UGE ületab pinget UGE(th) (ajavahemik t1). Kollektori vool IC hakkab kasvama ning saavutab koormusvoolu väärtuse IC(load), mis on võimalik ainult ideaalse vabavooludioodi korral. Reaalse vabavooludioodi puhul ületab
annaabi.ee 
