Elektriajamite elektroonsed susteemid
parasiitmahtuvused (joonis 3.9) ja sisend-ning väljundtakistused. Transistoride juhtimine sõltub
oluliselt juhtelektroodi mahtuvuse ümberlaadumisest. Tüüpilise positiivse juhtpinge UG(on) +15V
puhul IGBT-transistor avaneb ja sulgub negatiivse juhtpinge UG(off) -5 ...-8...-15V korral. Joonisel
3.9 on parasiitmahtuvused antud, kui suletud transistori pingest sõltuvad nõrga signaali
mahtuvused:
· sisendmahtuvused CIES = CGE + CGC and CISS = CGS + CGD
· siirdemahtuvused vastupingel CRES = CGC and CRSS = CGD
· väljundmahtuvused COES = CGC + CCE and COSS = CGD + CDS
NEEL (D) KOLLEKTOR (C)
CGD CGC
PAIS (G) CDS PAIS (G)
CGS CGE
annaabi.ee 
