Teema 3, Pooljuhtseadmed
Joonis 3.11. Planaarse ehitusega npn-transistori lihtsustatud ristlõige [12].
3.4.1. Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel
Bipolaartransistor pingestatakse normaalses tööreziimis nii, et emittersiire on
päripingestatud (pärivoolustatud) ja kollektorsiire vastupingestatud.
Baas on kujundatud võimalikult õhukesena. Kuna baas on väga õhuke (paksus < 1 mm),
siis valdav enamik (>95%) päripingestatud emittersiirde kaudu sinna jõudnud elektrone
(enamuslaengukandjaid) satuvab vastupingestatud kollektorsiirde elektrivälja mõjualasse,
mis suunab elektronid kollektorisse, tekitades kollektorivoolu. Ainult väike osa elektrone
rekombineerub baasis aukudega (vähemuslaengukandjatega), mis moodustavad osa
baasivoolust (teise osa baasivoolust moodustavad emittersiirde kaudu emitterisse
kulgevad augud).
Emitterivool kui tervik jaguneb seega baasivooluks ja kollektorivooluks. Baasivool
on kollektorivoolust tunduvalt väiksem (suurusjärgus 1...5%).