Teema 3, Pooljuhtseadmed
Samuti difundeeruvad augud paiknemistiheduse
ühtlustamise käigus p-piirkonnast n-piirkonda (aukude difusioon).
See protsess ei kulge aga laengukandjate kontsentratsiooni ühtlustumiseni kogu kristallis,
kuna n-pooljuhist lahkunud elektronid jätavad endast maha nendega võrdse arvu paikseid
positiivseid ioone. Samuti tekivad p-pooljuhist lahkuvate aukude tõttu paiksed
negatiivsed ioonid. n- ja p-pooljuhtide eralduspiiri juures tekib n-juhtivusega
materjalis positiivne ruuumilaeng ja p-juhtivusega materjalis negatiivne
ruumilaeng.
Need vastasmärgilised laengud tekitavad pooljuhtide kontaktpinna piirialal sisemise
elektrivälja, mida nimetatakse potentsiaalibarjääriks (ingl. k. build-in voltage), mis
lõpetab laengukandjate edasise difusiooni läbi kontatpinna (moodustub tõkkekiht, ingl.
k. depletion region). Potentsiaalibarjääri suurus on räni puhul 0,6...0,7 V ja tõkkekihi
paksus on 1...5 mm; mõlemad sõltuvad lisandikontsentratsioonidest. Laengukandjate
annaabi.ee 
