U E0 + U BE 0 1,5 + 0,7 12. C E arvutasime alljärgnevalt: 20 I K 0 20 0,0005 CE = = 4,547 10 -8 f 3,14 70000 13. CB arvutasime alljärgnevalt: 200 I 200 0,0005 -9 C B f ( h21E + 40IKK00 Rsig ) = 3,14 20000( 280 + 40 0,0005 120) = 1,61 10 Rsig = 120 14. CK arvutasime alljärgnevalt: 5 5 CK = = 3,789 10 -9 f ( RK + Rk ) 3,14 70000( 6000 + 15 10 )-3 15.Pingejaguri ühendamine võimendi ette: Joonis 2. Pingejaguri ühendamine võimendi ette 16. Pingevõimendusteguri ku arvutamine Uv 720 ku = = = 144 U sis 5 17
Elementide arvutatud, LT Spice's ja reaalselt kasutatud väärtused. SUURUS ARVUTATUD SPICE REAALNE CB 5,180nF 6nF 6,8nF RB2 54,8k 54k 56k RB1 131,4 131,4k 130k C 33nF 33nF 33nF L 250uH 250uH 250uH CK 7,5572nF 7,6nF 10nF CE 106,103nF 107nF 0,1uF RE 2k 2k 2k E 10V 10V Ik0 1mA 1mA R0e 3k 3k UE0 2V 2V RK 510 510 510 f 60kHz 60kHz Rsig 120 120 5. Mudeli amplituud-sageduskarakteristik joonisena. Joonis 2. Mudeli sageduskarakteristik. 6. Maketilt mõõdetud võimendi resonantssagedus f0. Võrrelda tulemust mudelil leitud väärtusega. Vajadusel selgitada erinevuse põhjuseid. Mõõta pingevõimendus ku0 resonantssagedusel. Esitada saadud tulemused aruandes. Resonantssagedus mudelil f0=54.1808KHz Resonantssagedus maketil f0=58kHz
Ühise emitteriga lülituses resonantsvõimendi Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid · Võimendi toitepinge E=9 V · Transistori vooluülekandetegur h21E=300 · Emitteri vaheline küllastuspinge UBE0=0,7 V · Võimendi töösagedus f=60 kHz · Emitteri pinge maa suhtes UE0= 1 V · Kollektorvool =1 mA · Koormustakistus Rk=510 · Signaali sisetakistus Rsig=120 · Emitter takistus k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Emittertakistiga sildav kondensaator F · Sisendkondensaatori mahtuvus F · Sidestuskondensaatori mahtuvus F · Võnkeringi mahtuvus C=33 nF · Võnkeringi induktiivsus L=250 µH Reaalselt kasutasime järgnevaid väärtusi · CB=10 nF · CK=10 nF · CE= 4,7 F