seetõttu toimub vahelduvvooluringi lülitatud pnsiire (diood) alandina ( joonis pooljuhtdiood juhib voolu vaid ühes, pärisuunas), ( joonis pooljuhtdiooni voltamperkõver (tunnusjoon), nõrka vastuvoolu tingib omajuhtivus), ( joonis pooljuhtdioodi läbilõige Iisolaator, Khermeetiline kest, Ppnsiirdega pooljuhtkristall, tingmärk) TRANSISTOR Transitor on pooljuhtseadis elektrisignaalide võimendamiseks, muundamiseks ja genereerimiseks. Kui kaks pnsiiret luuakse vastasjärjestuses (nt np ja pn), saadakse transistor. ( joonis npn ja pnp transistori läbilõige ja tingmärk kummagi transistorvõimendusastme lülitusvisandil) http://www.abiks.pri.ee Transistor oleks nagu kahe dioodi ühend, dioodidel on ühine ppoolne (npntransistoris) või npoolne (pnptransistoris). Seega on ta juba kolmekihiline pooljuhtstruktuur, Joonisel on märgitud
Järgnevalt vaatleme bipolaartransistori (edaspidi transistor) ehitust ja tööpõhimõtet. Transistoridest on enamlevinud räni- või germaaniumtransistorid. Transistori valmistamise aluseks võib olla näiteks p- juhtivusega räni monokristsll. Sinna tehtud süvenditesse sulandatakse kaks eri kaalutist tina (Sn) ja fofori (P) segu, et saada kõrglegeeritud n- piirkonnad (joonis 3.17). Transistoris tekkivad kolm vahelduva juhtivustüübiga ala, mida eraldavad kaks pnsiiret. Transistorid võivad olla kas pnp- või npn-struktuuriga (juhtivusega). Erinevus nende vahel seisneb vaid ühendatavate toiteallikate polaarsuses (voolude suunad vastupidised). Transistori ekvivalendiks on kaks dioodi, mis on ühendatud ühise anoodi või katoodiga. Pingestamata väljundite korral on mõlema siirde läheduses kontsentreerunud lisandioonide ruumlaengud. Ruumlaengute elektriväli kujutab endast kaht ühesugust potentsiaalibarjääri (kahe dioodi vastulülitus)