"pingemuutusest" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

IC (1000 A/Div) t (2 us/Div) t (2 us/Div) a. b. Joonis 3.24 Dünaamilise paisu juhtimise korral määrab voolumuutusest sI ning pingemuutusest sU tulenevad liigpinged juhtlülitus. Lihtsamate kaitseviiside puhul vähendab IGBT-ja MOSFET- transistoride sulgemise liigpingeid suurem paisu jadatakistus (joonis 3.25, a) või vooluallika juhtimine (joonis 3.25, b). Siirde temperatuuri vahetu mõõtmine on võimalik vaid siis, kui temperatuuriandur paigutatakse siirdele võimalikult lähedale (nt monoliitlülituste puhul või ühendatakse temperatuuriandur pooljuhtkristalliga)