Akanlivoolu sõltuvus paisu pingest vaesustus- (depletion) ja rikastusrezhiimis (enhancement) töötavas transis. Väljatransside skeemisümbolid. Alalisrezhiimi seadmine väljatransiga võimendusastmes, ühise lättega võimendusastmete skeemid. MOSFET (Metal Oxice Semiconductor Field Effect Transistor) ehk MOP väljatransistor (Metall Oksiid Pooljuht) on selline, kus paisuks on metallplaat, mis on oksiidikihiga isoleeritud pooljuhist, seega paisuvoolu ei eksisteeri. Sellisesse transi võib pooljuhtkanal olla sisseehitatud või siis indutseeritakse pingestamisel. Formeeritud n-kanaliga transistor: p-juhtivusega baaskristalli on tekitatud kaks tugevasti legeeritud n-juhtivusega ala (läte ja neel) ning nende vahele õhuke vähem legeeritud n-juhtivusega kanal. Vaesustusreøiim (Depletion) paisule on rakendatud lätte suhtes negatiivne pinge ning see tõukab elektrone kanalist välja, vähendades niimoodi neeluvoolu
automaatse eelpingestuse lülitust takisti RS abil, nagu elektronlambi puhul seda katoodtakistiga tehakse (joonis 6.7 a). Siis osutub nkanaliga transistoris pais lättest negatiivsemaks: paisul on takisti RG kaudu üldjuhtme potentsiaal, kuid läte on üldjuhtmest takistil RS tekkinud pingelangu võrra positiivsem. Paisutakisti RG takistuse võib võtta küllaltki suure, sest paisuvool IG < 0,01...0,1 mA. Et paisuvoolu muutus temperatuuri mõjul siiski ei mõjutaks neeluvoolu, siis ei tohiks paisutakisti takistus olla üle 3...10 MW. Lättetakistiga RS võib ühendada vahelduvvoolu-vastuside kõrvaldamiseks rööbiti kondensaatori CS samadel kaalutlustel kui bipolaartransistori korral. Joonis 6.7. Väljatransistori lähtetööpunkti määramise lülitused: (a) pn-siirde ja n- kanaliga transistor; (b) p-indutseerkanaliga transistor; (c) n-formeerkanaliga
avamisel (joonis 3.12, b) ning sulgemisel (joonis 3.12, c). Joonisel 3.12, a näidatud paisupingegeneraatoril on sümmeetrilise juhtimise tarbeks kaks väljundit. Paisutakistid jaotatakse kaheks: avamistakistiks RG(on) ja sulgemistakistiks RG(off). Selliselt piiratakse vältimatu vool allikast UGG+ allikasse UGG- MOSFET-transistori juhtlülituses lülituse kestel. Paisutakisti määrab paisu maksimaalse avamisvoolu IG(on) max ja sulgemisvoolu IG(off) max. Maksimaalse paisuvoolu suurendamine võimaldab lühendada avamis-ja sulgemisaegu ning samuti vähendada lülituskadusid. Paisuvoolu maksimaalväärtus ja paisutakisti minimaalne takistus määratakse sõltuvalt paisupingegeneraatori talitlusest. Juhitava transistori sisendtakistus avaldab täiendavat mõju maksimaalsele paisuvoolule. Maksimaalsed paisuvoolud transistori avamisel ja sulgemisel võib arvutada järgmistest avaldistest UGG+
annaabi.ee 
